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2024年4月11日，芯能半导体合肥高端功率模块封装制造基地厂房交接仪式在合肥安巢经开区举行，本次交接项目为一栋三层半结构，约13000m²。合肥安巢经开区管委会代表、芯能半导体公司代表等共同见证这一重要时刻。

芯能半导体新推出一款1200V600A C2模块，该模块采用芯能自主研发的基于MPT工艺的IGBT芯片以及发射极控制技术的FRD芯片。主要应用在光伏、储能、电机控制器等领域。

芯能半导体推出基于SiC-MOS IPM的汽车空调应用方案

2023年10月30日，慕尼黑华南电子展如期举行

关于防范不法分子假冒本公司产品从事欺诈活动的公告

芯能半导体正在推出下一代V系列芯片

学先进、找差距、助突破，公司总经理刘杰携部分管理团队赴苏州瀚川取经学习。

深圳芯能半导体技术有限公司受邀参加了上海国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIM Asia）

IPM29- SiC_MOS智能功率模块新产品内部集成了新一代N沟道增强型1200V-SiC_MOSFET芯片与与优化的SOI工艺6通道栅极驱动芯片，作为紧凑的1200V等级封装，这款SiC MOSFET IPM使用简便，具有良好热性能和充足的电气隔离等级能力，具有出色的功率密度、可靠性和性能

IPM23_MOS新系列产品内部驱动集成了自举电路、防直通互锁、欠压保护与温度输出功能，优化的高压栅极驱动配合內集成快速恢复二极管的MOSFET，极大地改善产品工作EMI与开关损耗。